【時報記者林資傑台北報導】晶圓代工大廠聯電(2303)宣布推出映用於顯示驅動IC的14奈米嵌入式高壓（eHV）FinFET技術平台，並提供製程設計套件（PDK）供客戶進行設計導入。此新製程已於聯電12A廠完成驗證，可提升電源效率與效能，同時縮小晶片尺寸，助力次世代顯示技術發展。 聯電表示，相較目前量產中最先進的22奈米製程eHV解決方案，14奈米eHV FinFET平台可降低40％功耗與縮小35％晶片面積，進一步延長電池續航力，並支援更小型、輕薄的驅動模組設計，以提供高階與摺疊式OLED智慧型手機顯示應用。 數位電路方面，聯電14奈米平台以鰭式場效電晶體（FinFET）元件取代平面電晶體，透過最佳化的I/O元件設計與更高的驅動速度，提升電氣效能、確保訊號完整性，並支援高解析度顯示應用所需的高刷新率。優化後的中電壓元件具備更小的線寬間距，並支援更廣泛的電壓操作範圍，為驅動電路設計提供更高彈性。 聯電長期在OLED顯示驅動IC市場位居領先地位，目前為業界唯一提供最先進22奈米顯示驅動IC解決方案的晶圓代工廠。憑藉領先的eHV製程技術、完整的IP資源與強大的設計支援能力，聯電以涵蓋0.6微米至14奈米的高壓製程技術平台，為顯示產業提供最完整的解決方案，攜手客戶共同引領顯示新世代。 聯電技術研發副總經理徐世杰表示，顯示應用市場需求續朝更高畫質、更快速度與更低功耗發展，聯電此次推出14奈米eHV平台，首度將FinFET技術導入顯示驅動領域，隨著客戶產品功能不斷升級，聯電將持續以領先製程技術，協助客戶將創新構想化為可量產成果。