《半導體》IET-KY第3季獲利年增98% EPS 1.26元、前3季每股賺3.58元

【時報記者張漢綺台北報導】IET-KY(英特磊)(4971)2026年第3季稅後淨利為5900萬元，年增98.06%，單季每股盈餘為1.26元，累計前3季每股盈餘為3.58元，英特磊表示，2027年將以國防高毛利產品擴產、InP基板供應改善及新產品量產為三大成長方向，在國防與AI高速光通訊雙重需求帶動下，期望營收及獲利持續成長。 IET-KY受惠國防相關銻化鎵（GaSb）及砷化鎵（GaAs）訂單增加，2026年第3季合併營收為3.19億元，年增26.84%、高毛利產品出貨比重提升，單季營業毛利1.24億元，年增55.07%，單季合毛利率38.72%，營業利益0.58億元，年增71.79%，營業利益率18.16%、稅後淨利5900萬元，年增98.06%、單季每股盈餘1.26元，年增68%。 IET-KY 2026年前3季合併營收9.08億元，年增19.3%，合併毛利率40.72%，營業利益1.76億元，年增76.14%，稅後淨利1.57億元，每股盈餘達3.58元；IET-KY指出，今年前3季營業利益年增逾7成，營業利益率亦較去年同期提高7.11個百分點，主要為本業營運改善帶來的獲利成長。 在國防產品方面，GaSb紅外線探測器磊晶片受惠國防客戶年底加速下單，預期2027年國防和商用訂單規模將持續擴大，公司規劃明年啟動第四台GaSb生產機台，提升供貨效率；GaAs產品亦獲國防及商用大廠第四季追加訂單，出貨動能可望延續。 磷化銦(InP)仍為英特磊最大核心產品線，受惠AI資料中心高速傳輸需求成長，PIN PD磊晶片訂單持續增加，惟產出仍受限於InP基板供應短缺；公司正透過協助歐洲供應商改善良率、自行研磨回收基板等方式增加原料來源；新興APD及HBT磊晶產品亦準備於2027年導入量產。 在新產品研發方面，英特磊持續開發量子點雷射(QD Laser)及變晶型PIN(m-PIN)磊晶片；QD Laser初期研發表現超過預期，而m-PIN採用價格較低、供應相對穩定的GaAs基板生長InP PIN結構，有機會在InP基板缺貨情況下切入部分光接收器(PD)市場，降低對傳統InP基板的依賴，成為未來AI高速光通訊的重要技術布局。 在其他業務方面，氮化鎵(GaN)二次長晶已建立台灣接單及在地生產模式，並有固定客戶定期下單。客製化新材料MBE機台「先租轉買」合約亦接近完成。 在產能布局部分，英特磊德州新廠二期預計2027年第一季完工，德州晶片法案補助持續按期請款，美國聯邦晶片法案補助預期今年底完成簽約，IET-KY與光聖(6442)換股後持有的股權列為長期策略性金融資產，相關公允價值變動反映於其他綜合損益及股東權益，不影響當期每股盈餘。