《大陸產業》長鑫4F2平台 完成工程樣片驗證

【時報-台北電】大陸記憶體晶片大廠長鑫科技透露，在4F2垂直通道DRAM架構取得關鍵突破後，旗下第六代製程技術平台已完成工程樣片驗證。長鑫先前公開表示，預計年底將針對難度相當高的伺服器市場，推出結合4F2技術的新一代DDR5 RDIMM產品。 澎湃新聞10月31日報導，長鑫此前曾在學術論壇上介紹4F2架構進展，此次是首度宣布第六代技術平台是基於4F2架構。工程樣片完成驗證，代表該平台核心性能指標已在真實晶圓上達到設計預期，待客戶端驗證完成後即可邁入量產階段。 報導指出，從公開進度來看，長鑫在4F2工程化腳步處於全球前列。三星、SK海力士均已將4F2列為10奈米級以下製程的關鍵方向，長鑫率先完成工程樣片驗證，若後續進展順利，長鑫有望成為全球首家落實4F2架構的業者。 報導表示，4F2被視為破解DRAM微縮瓶頸、邁向3D DRAM的關鍵途徑。DRAM技術演進向來聚焦提高晶圓密度，藉由整合更多單元來降低每位元成本。然而進入10奈米世代後，既有6F2架構逼近物理極限難以維持，IEEE國際設備和系統路線圖（IRDS）明確指出，當半間距微縮日趨困難時，轉向4F2架構是維持成本效益最具前景的路徑。 不過，美光總裁暨首席技術與產品長德波爾日前指出，公司研究4F2已逾20年，認為這條路線缺乏可行的微縮空間，「沿著這方向沒有實際收益」。 他指出，DRAM密度不只取決於單元架構，電容間距、電容尺寸及製程改良才是關鍵；在既定電容條件下，4F2未必比6F2更具優勢。4F2涉及更複雜的元件與製程，設備投入和良率爬坡成本都可能抵銷密度效益。(新聞來源 : 工商時報一蘇崇愷／綜合報導)