《半導體》聯電攜手愛普 推進AI與HPC系統電源解決方案

【時報記者林資傑台北報導】晶圓代工大廠聯電(2303)與愛普*(6531)今（22）日宣布展開技術與製造合作，結合聯電的深溝槽電容（DTC）製程技術與晶圓製造能力，與愛普的矽電容設計與系統層級整合技術，推進AI與高效運算（HPC）系統供電解決方案，因應次世代數據中心的電源效率挑戰。 隨著AI運算工作負載快速成長，運算系統對電源傳輸的要求日益提高，推動數據中心的電源架構從傳統將穩壓元件配置於電路板，逐步轉向將電容直接嵌入中介層（Interposer）或載板中，可縮短電源傳輸路徑、提升電源完整性，並支援先進封裝內更有效率的電壓調節。 聯電與愛普的合作已於2026年第三季達成重要里程碑，愛普S-SiCap Gen2D分離式矽電容設計已完成投片及初步功能驗證。下一階段將針對封裝載板中的電容進行完整的系統級效能與可靠度測試，目標是支援不同的電容量與工作電壓需求。 同時，聯電與愛普正探討將合作拓展至其他包括矽中介層嵌入式電容及載板底面電容的產品線，以因應多元的系統設計需求。聯電資深副總經理洪圭鈞表示，AI與HPC的成長正推動電源傳輸架構根本性的轉變，從電路板層級的供電，逐步走向晶片層級的垂直電源整合。 洪圭鈞指出，聯電提供完整的供電解決方案，包括DTC技術，可將高密度電容配置於更靠近運算晶片的位置，以達到更穩定晶片供電效果。透過與愛普合作，聯電正致力將可擴充的解決方案推向市場，以克服AI基礎設施持續演進帶來的關鍵供電瓶頸。 愛普總經理洪志勳表示，採用DTC技術的客製化S-SiCap產品成功完成投片及初步晶圓驗證，是展現愛普S-SiCap設計彈性與可製造性的重要里程碑。愛普透過與聯電合作，為客戶提供從產品設計到晶圓製造的一站式解決方案。 聯電的供電解決方案藍圖涵蓋可應用於不同系統架構的分離式與嵌入式矽電容，並延伸至內部電壓調節器等主動元件，也運用先進封裝能力實現更高密度的電源元件整合，滿足次世代數據中心對更高電壓與電容量的需求。公司持續擴產，以支援電源與異質整合解決方案。