《基金》SpaceX與特斯拉自建晶片廠拚量產 00941、00954布局上游契機

【時報記者張佳琪台北報導】SpaceX與特斯拉（Tesla）共同推動的Terafab晶片製造計畫再傳進展，目標是2028年第三季進入量產，長期希望每年提供相當於1太瓦的AI與機器人運算能力；公司預計於2027年5至6月在美國德州奧斯汀的研究設施完成首顆靜態隨機存取記憶體（SRAM）測試晶片，量產時間預估2028年第三季或第四季。中信投信表示，隨著AI算力需求持續擴大，科技巨頭除向外部供應商採購晶片，開始積極探索自建晶片製造能力，若Terafab按計畫推進，將為半導體設備產業帶來潛在的新增需求。 中信投信認為，Terafab的推進計畫，因先進製程涉及多項高技術門檻設備，具備關鍵技術與供應能力的廠商可望受惠，建議看好AI長線發展、希望降低單一個股波動風險的投資人，透過相關ETF如中信上游半導體（00941）、中信日本半導體（00954）等，分批、分散布局半導體上游供應鏈。 AI運算需求帶動半導體企業獲利預估普遍上修，以上游設備族群最為顯著。今年第三季，愛德萬測試明年度每股盈餘預估較前一季上調36%，艾司摩爾上調23%，東京威力科創上調18%，應用材料上調12%。價格方面，7月至9月間，應用材料新舊產品線同步調漲價格；東京威力科創宣布將匯率、採購及物流成本反映於售價；艾司摩爾則將極紫外光與深紫外光設備的零件及耗材價格調高10%。此外，美國銀行近期上調半導體設備支出預估，估計全球設備支出將由2026年的1,560億美元，成長至2030年的3,600億美元，年複合成長率由原先的19%上修至23%。 00954經理人許家瑜分析，設備業者的成長動能不僅來自出貨量增加，每片晶圓所需投入的設備金額亦持續提高，主要原因有三。第一，製程進入2奈米以下後，電晶體與線路間距更為精細，需要更高階的微影設備，相關業者包括艾司摩爾。第二，新一代電晶體架構及快閃記憶體多層堆疊技術，對蝕刻與沉積製程的精密度要求更高，相關業者包括科林研發、應用材料及東京威力科創。第三，先進封裝需將不同材質與功能的晶片精準連接，帶動高規格薄化、封裝與接合設備需求，相關業者包括迪思科（DISCO）及芝浦機電。 此外，台積電今年4月曾表示，由於高數值孔徑極紫外光（High NA EUV）機台每台要價約4.1億美元，將盡量延長現有機台使用年限，不過，到了9月，台積電與三星皆宣布導入該款機台。許家瑜認為，晶圓代工龍頭採購態度轉趨積極，加上Terafab等新興買家加入，先進設備供給吃緊的情況可能延續更長時間。 許家瑜表示，從晶圓代工龍頭導入高價設備，到科技巨頭投入自建晶圓廠，AI帶動的設備需求正同步擴大採購客戶數量與單位投資金額。不過，Terafab目標2028年量產仍存在許多挑戰，短期市場亦可能受利率與資金面影響而波動，因此，許家瑜建議投資人避免追高，以分批進場方式，透過00941布局全球設備龍頭，並搭配00954參與日本關鍵設備供應鏈的成長契機。