《半導體》外資喊上700、本土看好8字頭 南亞科卻苦跌失500元

【時報記者葉時安台北報導】南亞科(2408)法說會後，日系外資重申買進並將目標價升至700元，美系外資亦將目標價從580元調升至600元，而本土10家法人中，目標價落在607-800元區間，其中一家看好至710元，另外兩家更喊上800元最高。市場看好記憶體價格持續走高推升毛利率表現，價格上行趨勢可望延續至2027年，南亞科新廠產能瞄準AI領域客戶，對中長期營運帶勁。但南亞科周二股價卻失守500元大關，主因長鑫存儲下一代DRAM設計獲進展帶來競爭，使得海內外記憶體族群走疲。 南亞科受惠記憶體供需持續吃緊，第四季DRAM價格走勢備受市場關注。日系、美系外資均看好DRAM供應緊俏態勢延續，認為新增產能建置時程長，加上高頻寬記憶體(HBM)持續排擠一般DRAM產能，短期供給難以快速增加，價格上行趨勢可望延續至2027年。南亞科則規畫擴建新廠，逐步提高晶圓月產能，以因應AI基礎設施帶動的長期需求。 日系外資指出，南亞科第四季可望延續供應吃緊、價格上漲趨勢。在新廠晶圓產能開出前，公司出貨量預計維持持平，營運成長動能主要來自平均銷售單價(ASP)提升。由於先前簽訂的長期供貨合約(LTA)陸續換約，價格調整有助於反映市場供需變化，後續合約安排及價格走勢也將是觀察重點。 日系外資認為，DRAM需求受到AI基礎設施及伺服器應用支撐，供應端卻受限於產能配置與新廠建置時程，短期難以明顯擴增。南亞科目前AI基礎設施與伺服器應用營收占比逾20%，南亞科預期，隨相關需求持續成長，2029至2030年占比可望進一步提升至30%以上。 產品方面，DDR4仍是南亞科營收的重要來源，占比逾60%；DDR5占比則已超過10%。外資指出，DDR4約占全球DRAM總需求12%至14%，在需求支撐、供應受限的情況下，價格仍具支撐。隨著主要DRAM大廠將產能配置於HBM等產品，一般DRAM供給增加有限，市場供需緊俏情勢可望延續。 美系外資亦指出，DRAM供應受限是產業共同面臨的問題。美光預期，供應吃緊將延續至2027至2028年，原因包括無塵室建置耗時，以及HBM晶圓需求增加、限制整體DRAM位元成長。三星也預估，HBM於2027年占產業DRAM晶圓產能的比重將接近30%，高於目前約20%，顯示高階記憶體需求將持續影響產能配置。 在新產能布局方面，南亞科規畫興建新廠，以因應AI基礎設施帶動的長期供貨需求。日系外資指出，新廠目標於2028年底前達到月產能3萬片晶圓，2030年進一步提升至5萬片；美系外資則提及，南亞科規畫於2026至2029年投資新台幣3460億元建置新廠，月產能規畫約3.59萬片晶圓。 不過，新廠投資規模龐大，也將牽動南亞科未來資本支出與股東回報安排。外資指出，若以月產能5萬片規模估算，相關投資約需160億美元，資本支出負擔使公司暫未宣布提高股利或實施庫藏股計畫。 長鑫存儲(CXMT)動向也受外資關注。美系外資指出，長鑫9月宣布G5量產，但目前尚未達規模銷售，仍需時間提升良率、完成客戶認證。據查訪，長鑫HBM3E良率已達40%，DRAM投片量預計2027年底前擴增至月產3萬片。短期供給增加仍有限，後續量產進度將是影響DRAM市場供需的重要觀察指標。 整體而言，外資看好第四季DRAM供應緊俏與價格走勢，並認為產能擴增需要時間，供需失衡短期不易改善。南亞科後續營運除了取決於DRAM價格與出貨表現，也須觀察新廠建置進度、產能開出時程，以及AI與伺服器需求成長能否持續支撐記憶體市場。