【時報-台北電】台積電2奈米(N2)量產,半導體先進製程由FinFET跨入GAA(環繞式閘極)世代。法人指出,隨製程複雜度、CMP道數、晶圓監控頻率及材料規格同步提升,設備、CMP耗材、再生晶圓及先進材料需求增加,中砂(1560)、昇陽半(8028)、新應材(4749)、頌勝(7768)等供應鏈迎成長契機。
台積電N2採nanosheet GAA,相較N3E,在相同功耗下效能可提升10%~15%,或相同速度下降低25%~30%功耗,晶片密度提高逾15%。
GAA對蝕刻、沉積、平坦化及製程監控要求也高於FinFET,受惠範圍由晶圓代工向材料、耗材擴散。
其中,中砂成為2奈米CMP受惠指標。法人指出,中砂最大客戶鑽石碟業務中,先進製程占比達63%,N3、N2各占22%,1.4奈米亦已小量出貨;N3進入N2後,CMP內容價值提高10%~15%,至A16因CMP道數由55道增至77道,內容價值更提高二至三成。
法人預期,中砂鑽石碟在台積電的供應比由5奈米低於五成、3奈米約七成,N2有望達八成以上;隨大客戶N2及先進封裝產能擴張,DBU、SBU目前供不應求,訂單能見度已延伸至2030年。
再生晶圓需求,也隨製程微縮快速增加。法人指出,昇陽半雖短期受到部分機台瓶頸影響,2026年底再生晶圓月產能調整為110萬~120萬片,但因客戶潛在需求上修,該公司2026年資本支出預算達48.2億元,預估2025~2029年再生晶圓擴產年複合成長率仍達25%~30%。昇陽半的薄化業務,亦受AI帶動DrMOS需求放量,2025~2028年部門營收年複合成長率估達45%。
先進材料同步受惠,隨大客戶兩座N2新廠投產,新應材Rinse、BARC及EBR三項核心產品出貨,可望隨N2產能爬坡逐季走高,其中,BARC、EBR甫切入N2製程。法人認為,隨N3、N2等新世代節點比重提高,新應材營運成長將更貼近大客戶先進製程推進節奏。
CMP研磨墊亦成為新受惠環節。2奈米製程約需60~70道CMP步驟,且CoWoS、SoIC、矽光子及大型Interposer等技術均增加研磨需求。
頌勝上半年半導體營收占比達66%、年增約25%,台積電相關營收年增約170%;新一代Soft Pad產線主要針對台積電需求設計,待執照核發及客戶認證完成後,預計2027年第一季放量。(新聞來源 : 工商時報一張珈睿、李娟萍/台北報導)
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