《科技》HBM排擠效應 DRAM、NAND供需吃緊

【時報-台北電】高頻寬記憶體（HBM）產能排擠效應，恐一路延燒至2028年。法人指出，HBM占整體DRAM投片比重，由2026年的19％，上升至2028年的28％，傳統DRAM供給受壓縮，2028年DRAM、NAND供需結構不易反轉。 市場近期關注，輝達（NVIDIA）Rubin Ultra可能採8Hi HBM，一度擔心新一代AI GPU記憶體規格下修。但法人解讀，此舉並非需求降級，而是HBM供給吃緊下的權宜配置。 依估算，2027年GPU與ASIC所需HBM約1.96億顆，若HBM4、HBM4e全部採12Hi，供給僅約1.52億顆，缺口約4,400萬顆，因此，改採部分8Hi，可在相同晶圓投片下，生產更多HBM顆數，以支應AI晶片出貨。 HBM供給受限下，部分產品採8Hi有助提高可供應顆數，待供給緊張緩解後，仍可能逐步升級至12Hi。市場傳4Hi方案，法人認為，較可能是議價手段，而非實際量產規格，主因4Hi將使記憶體容量較Rubin明顯降低，不利Rubin Ultra的升級定位。 供給方面，2026至2028年整體HBM投片量，估分別為每月41.4萬、57.9萬及74.5萬片；HBM占整體DRAM投片比重，則由19％升至24％、28％。 即使多數新建晶圓廠產能2028年陸續開出，扣除HBM後，傳統DRAM投片量年增率，僅約中個位數百分比，供給增幅相對有限。 HBM價格亦反映供需緊張。法人預估，HBM3e每Gb平均價格，將由2026年的1.5美元，升至2027年的3美元，HBM4則由2.2元升至4.16美元，HBM4e價格較HBM4估有約20％溢價。 NAND供需也受到牽動。由於DRAM單片晶圓產值高於NAND，且部分韓系原廠產能可在DRAM與NAND間彈性配置，在HBM及DRAM需求強勁下，NAND供給擴張受到限制，因此，2028年不易出現供過於求。法人認為，宜注意GPU、ASIC出貨是否大幅下修，以及Agentic AI需求若持續成長，推升CPU與DDR5需求，可能促使原廠增加DDR5產能配置，加劇與HBM間的產能競爭。(新聞來源 : 工商時報一李娟萍／台北報導)