《各報要聞》台積攜ASML 推光罩升級

【時報-台北電】AI晶片競賽推進至下一世代微影技術，台積電與全球半導體設備龍頭艾司摩爾（ASML）8日宣布，聯手推動EUV光罩由現行6吋升級至12吋，力拚提升生產效率、降低先進晶片製造成本。台積電並揭露，有意自2030年起將高數值孔徑極紫外光（High NA EUV）技術導入先進製程量產。 台積電計畫2031年前建立12吋光罩試產線（pilot line），為2033年12吋High NA微影系統導入量產奠定基礎。業界解讀，2030年導入High NA初期仍可沿用6吋光罩，後續隨生態系成熟轉向新規格。 對照製程藍圖，台積電A14預定2028年量產，A13及導入背面供電的A12於2029年接棒。依時程推估，High NA可能落在A10等後續世代，但公司尚未確認導入節點。隨AI帶動電晶體架構日益複雜，未來High NA曝光光罩層數將增加。 供應鏈業者觀察，A14初期將延續既有Low NA EUV，透過改善光罩護膜提升曝光效益，延續現行設備的製程應用。其中，晶圓三廠團隊參與高穿透率EUV光罩護膜開發，護膜鍍膜有助改善散熱，將帶動原子層沉積（ALD）及檢測設備需求，宇川精材、天虹有望受惠。 ASML總裁暨執行長Christophe Fouquet指出，隨元件微縮，High NA採用將逐步提升，產業將先沿用現行6吋光罩，再導入12吋光罩，提高設備生產力，滿足更小、更快、更節能晶片的需求。 台積電董事長暨總裁魏哲家表示，唯有產業攜手解決複雜問題，才能開創單一企業無法獨力實現的可能。透過匯聚價值鏈專業能力與持續創新，可降低先進解決方案導入門檻，推動大規模普及。 隨High NA逐步走向量產，相關設備、零組件及耗材需求可望升溫，市場看好ASML台系供應鏈，包括家登、帆宣、公準、翔名等營運可望受惠。家登為ASML光罩盒（FOUP）及EUV耗材重要供應商；帆宣承攬ASML設備安裝與廠務工程；公準供應半導體設備精密零組件；翔名提供真空腔體、精密零組件及設備維修服務。(新聞來源 : 工商時報一張珈睿、張瑞益／台北報導)