《半導體》ASML攜手台積電 推動升級12吋High NA EUV光罩

【時報記者林資傑台北報導】半導體設備商艾司摩爾（ASML）與晶圓代工龍頭台積電(2330)宣布發起合作，推動高數值孔徑極紫外光（High NA EUV）微影技術使用的光罩升級至12吋，目標2031年前建立12吋光罩試產線，並於2033年前實現微影系統全面就緒，以支援先進製程量產。 此次合作於7日在美國加州蒙特雷舉行的BACUS國際光學工程學會（SPIE）先進微影技術研討會前宣布。ASML與台積電表示，隨著先進製程持續微縮，High NA EUV應用將逐步擴大，推動光罩尺寸從6吋升級至12吋，有助發揮High NA EUV生產力與成本效益。 目前High NA EUV採用6吋光罩，部分曝光需求須透過2張光罩拼接完成。轉移升級至12吋光罩後，可望消除拼接限制，同時提升晶圓廠生產效率、降低晶片製造成本，讓先進製程業者更充分發揮技術優勢。此次合作初期已獲半導體製造商、光罩廠商及合作夥伴支持。 艾司摩爾總裁暨執行長Christophe Fouquet預期，隨著元件微縮藍圖持續推進，High NA EUV採用率可望逐步提升。初期產業可沿用現行6吋光罩，後續導入12吋光罩進一步提升設備生產力，以滿足市場對更小、更快及更節能晶片的需求。 台積電董事長暨總裁魏哲家表示，台積電深信唯有產業攜手解決複雜問題，才能開創個別企業無法獨力實現的無限可能。藉由匯聚產業價值鏈的專業能力，期許透過持續創新來降低門檻，讓先進解決方案得以大規模普及，進而持續傳遞尖端技術的價值。 台積電規畫自2030年起，在先進製程量產中導入艾司摩爾的High NA EUV技術。隨著製程節點持續演進，特別是AI應用推升晶體管架構複雜度趨勢下，預期需要採用High NA EUV曝光的光罩層數將隨之增加。