《各報要聞》AI散熱戰升級 三雄布局新解方

【時報-台北電】AI晶片功耗持續攀升，即使Vera Rubin世代全面導入液冷，晶片至水冷板間的熱阻仍成下一道瓶頸，供應鏈正同步推進雙面水冷、可拆式散熱蓋（Removable Lid）等方案，最終方向仍待AI晶片大廠及雲端服務業者拍板，業界則預期微通道（Micro-channel）技術最快可望於2028年量產，奇鋐、雙鴻、健策相關布局備受矚目。 新一代AI散熱設計已從提高水冷滲透率，轉向降低晶片至冷卻液間熱阻，目前技術方向包括擴大水冷板覆蓋範圍、移除部分蓋板與熱介面材料（TIM），並導入貼近晶片熱源的微通道設計。 雙鴻董事長林育申指出，先進封裝持續堆疊後，每增加一層材料就增加一道熱阻，過去晶片功耗較低影響有限，但進入千瓦級後已不可忽視，多一道TIM可能增加約攝氏3～5度，因此下一階段散熱關鍵，在於盡可能減少晶片與冷卻液間不必要介面材料。 他表示，當晶片功耗約4,000瓦時，現有水冷板尚可支應，但也成新門檻，未來若跨向7,000瓦～8,000瓦，微通道重要性將提高。這類設計不只考驗流道與熱點控制，也牽涉封裝設備、製程承重及良率管理，散熱廠技術邊界正進一步往封裝端延伸。 健策正積極從晶片端降低熱阻，Rubin Ultra規劃導入可拆式散熱蓋架構，在系統組裝階段後再配置散熱介面與水冷板，減少多層TIM造成的熱傳損失。健策總經理林錦隆日前表示，微流道可移除TIM2，並針對晶片局部熱點調整流道，公司長期更規劃將VC與MC整合，讓散熱更直接貼近晶片熱源。 奇鋐則著重雙面水冷與擴大解熱範圍，部分新平台正把水冷板由晶片正面延伸至主板背面，增加水冷板及快接頭用量；另AI晶片平台亦採雙層水冷板搭配內部分歧管，高功耗平台散熱設計正由單面覆蓋，朝多面、多熱源同步解熱發展。(新聞來源 : 工商時報一楊絡懸／台北報導)