《大陸產業》展研發實力 中微推多款新品

【時報-台北電】受到美國管制半導體製造設備影響，大陸本土半導體設備廠正加速推動高階產品發展。在近期的半導體設備材料及核心部件展上，中微半導體一口氣推出多款涵蓋蝕刻與薄膜沉積類別。不過，大陸半導體產業突破最關鍵的曝光機設備似乎仍未現身。 第14屆半導體設備材料及核心部件展（CSEAC 2026）9月1日在江蘇無錫正式開幕，匯聚超過1,400家企業參展。中微半導體在展會上同步進行新品公布會，推出涵蓋極高深寬比蝕刻、等離子體增強化學氣相沉積（PECVD）、原子層沉積（ALD）及碳化矽（SiC）外延等領域的多款設備。 在蝕刻設備方面，中微首度推出Primo XD-RIE極高深寬比蝕刻機，具備70～90：1的極高深寬比能力，透過甚高頻射頻改進選擇比等技術，可適配先進記憶體元件的發展升級需求，為3D堆疊記憶體晶片製造提供穩定可靠的工藝解決方案。 在薄膜沉積領域，中微本次推出的Performo QuaStar ON主要針對3D快閃晶片製造的氧化矽與氮化矽疊層沉積環節。 12吋原子層沉積金屬鉬設備Prefima Unicore，則專為3D超高堆疊領域的字線填充工藝打造；針對泛半導體領域，另有碳化矽外延新型高溫生長設備PRISMO PDS8。 此外，展會上另有北方華創與芯源微展出化合物半導體與功率半導體解決方案；拓荊科技展出覆蓋Chiplet異構集成與HBM應用的3D IC系列新品；盛美上海展出已交付達8000腔的平台化設備；中科飛測展示支持8吋與12吋晶圓非破壞檢測的X射線奈米顯微成像設備等。 然而，展會並未出現關鍵的新一代曝光機設備。瑞銀近期的報告指出，以光源和雷射子系統方面的專利判斷，大陸目前的技術成熟度近似於荷蘭大廠ASML在量產極紫外曝光機（EUV）前，約2004年時的早期研發階段。不過，大陸仍能在2至5年內具備大規模製造浸沒式深紫外（DUV）曝光機的能力。(新聞來源 : 工商時報一張全慶／綜合報導)