【時報記者葉時安台北報導】SEMICON Taiwan半導體展周三假南港展覽館開幕，針對記憶體產業，美系外資觀察，3D堆疊很可能成為超越現今2.5D架構的未來趨勢，其中如三星的zHBM以及更廣泛的DRAM-on-logic(DRAM疊於邏輯晶片)概念，都顯示記憶體正從位於運算晶片旁邊，轉向垂直整合式架構，將提高混合鍵合(hybrid bonding)、WoW整合，以及熱設計協同最佳化(thermal co-design)的重要性，故外資對愛普*(6531)正向觀察。同時外資亦看到NAND正在AI系統中扮演更積極的角色，帶來額外的SLC NAND需求，外資也對旺宏(2337)正向觀察，外資重申愛普、旺宏正向的投資評等。 隨著人工智慧(AI工作流與長脈絡模型持續演進，硬體運算瓶頸已正式由「算力」轉移至「記憶體頻寬與資料移動」。美系外資在最新SEMICON Taiwan半導體展產業觀察報告中指出，記憶體產業正全面從傳統的「製程微縮」邁向「架構級創新」。其中，3D垂直堆疊技術將成為超越現行2.5D架構的新主流，同時NAND也迎來角色重塑，外資同步看好台廠愛普與旺宏後市表現，重申「優於大盤(Overweight)」評級。 外資報告指出，傳統2.5D先進封裝架構下，記憶體多配置於運算晶片旁；然而三星近期倡議的zHBM以及更廣泛的DRAM-on-logic等架構，均宣告記憶體正加速朝向垂直整合推進。此技術演進大幅推升了晶圓級封裝(WoW)、混合鍵合(Hybrid Bonding)與散熱協同設計(Thermal Co-design)的關鍵戰略地位。 外資認為，愛普在客製化記憶體及新興3D WoW技術深具領先優勢，將能無縫整合運算與記憶體單元、降低系統功耗，為該趨勢下的最大潛在受惠者。另一方面，NAND Flash在AI系統中的角色正由被動的「資料儲存」向運算端靠攏，轉型為直接支援推論負載與KV Cache指數成長的關鍵元件。 隨著高IOPS與Fast NAND需求攀升，市場對額外SLC NAND需求更顯迫切。美系外資預期，隨著大廠產能調整，2026年下半年傳統NAND供給缺口恐高達40%，旺宏作為全球少數具備規模供應能力的業者，可望強勢填補產能缺口，加上NOR Flash迎來結構性上行循環，營運動能看俏。