《大陸產業》長鑫試產HBM3E 緊追美韓大廠

【時報-台北電】大陸記憶體大廠長鑫存儲近期傳出已正式啟動HBM3E的風險試產，預計將運用於包括阿里巴巴旗下平頭哥、寒武紀等多家大陸AI晶片大廠旗下產品，不過外界評估其技術仍落後美韓巨頭3到5年。此外，消費級市場上，長鑫已正式量產LPDDR6，預計將隨小米最新款折疊手機在9月問世。 HBM為具備極高帶寬的動態隨機存取記憶體（DRAM）晶片，是目前AI計算晶片最重要的核心組件之一，其性能直接影響AI模型推理計算時的效率。據美國媒體The Information的報導，長鑫存儲正進行符合HBM3E規格產品的風險試產。 與此同時，阿里巴巴旗下平頭哥、寒武紀等大陸主流AI晶片設計公司，也正測試將長鑫的HBM3E產品與自家處理器晶片搭配使用。若一切測試進展順利，大陸的主流AI晶片最快將於明年用上HBM3E產品。 產能方面，長鑫此前已公布，預計到2026年末，其DRAM月產能將提升至30萬至35萬片晶圓。傳聞長鑫還將劃出每月約5萬片晶圓的產能，專門用於HBM產品的生產。 按照國際標準，HBM3E頻寬為每秒1.2TB，容量方面可達36GB。目前國際上主流的AI晶片，包括輝達的H200及Blackwell系列、AMD的MI350系列都廣泛採用該規格產品，而能夠生產HBM3E的記憶體大廠主要是韓國SK海力士、三星，以及美國美光。 然而，SK海力士早在2024年就開始量產HBM3E產品，目前已經量產頻寬可達每秒2TB以上的HBM4產品，應用於輝達最新一代Rubin系列AI晶片，甚至已在測試最新的HBM4E樣品。對比美韓傳統大廠的領先優勢，長鑫技術大約落後3至5年，且受限於製造設備管制，良率依然偏低。 不過長鑫HBM3E產品仍舊補上大陸國產替代需求。消費級市場上，長鑫已量產最新的LPDDR6記憶體，將隨9月推出的小米18 Fold折疊手機問世。對比之下，長鑫在該領域對比美韓大廠的差距正在縮減，三星與SK海力士也預期於今年下半年量產。(新聞來源 : 工商時報一張全慶／綜合報導)