《國際產業》SK海力士美國新廠 動土

【時報-台北電】記憶體大廠SK海力士斥資40億美元，在印地安那州建造的美國首座工廠，27日舉行動土典禮，預估新廠將在2029年第三季，開始量產次世代HBM4E晶片，到了2030年，將成為該公司在美國的HBM關鍵生產基地。SK海力士同時預期，記憶體晶片短缺將持續到2030年底。 SK海力士執行長郭魯正（Kwak Noh-Jung）指出，位在印第安納州西拉法葉（West Lafayette）普渡研究園區（Purdue Research Park）的新廠，將於2028年下半年開始無塵室作業，最終每年能處理數十萬片晶圓。 郭魯正表示，SK海力士將供應客戶美國製造的高頻寬記憶體（HBM），同時強化美國半導體供應鏈，協助加強國家和經濟安全。SK海力士的目標是在美國打造先進記憶體供應鏈。 印地安那廠設有次世代HBM封裝產線，以及一座AI半導體研發中心。值得注意的是，新廠主要負責封裝，而非前端製造，SK海力士在韓國和中國生產的晶片，將運送至印地安那州進行封裝和測試，而封測須在無塵室作業。 雖然封測是晶片生產的關鍵步驟，美國商務部長盧特尼克7月公開向三星電子和SK海力士施壓，要求兩家半導體巨頭在美國建造前端製造晶圓廠。 SK海力士透過聲明稿表示，連接SK海力士韓國和美國生產系統的印地安那廠，不僅能協助穩定美國半導體供應鏈，還有助加強AI時代國家經濟和安全。SK海力士印地安那廠將創造約1,000個直接工作機會。(新聞來源 : 工商時報一顏嘉南／綜合外電報導)