《半導體》DRAM漲勢熱 華邦電提前擴產

【時報-台北電】在AI帶動記憶體及先進封裝需求長期成長下，華邦電（2344）提前啟動高雄路竹廠擴產規畫，將原定二、三期整併為Module B同步開發，預計2027年動工興建無塵室，最快2029年初開始裝機。 法人指出，華邦電第三季利基型DRAM與SLC NAND，均呈現供不應求，價格季漲幅估約50％；NOR Flash則受惠雲端服務供應商（CSP）大客戶積極備貨，排擠其他應用供給，價格季漲幅估約30％。 第四季記憶體價格漲幅雖估收斂至2～5％，但受惠DRAM產能增加及出貨量成長，法人估，華邦電營收及獲利仍可維持季增走勢。 華邦電第二季合併營收598.43億元，季增56.4％、年增184.7％，其中，DRAM價格季增約100％、Flash上漲約43％，合併毛利率升至66.2％，每股稅後純益（EPS）5.40元。 法人指出，代理式AI帶動記憶體容量與先進封裝需求增加，相關成長趨勢預期將延續相當長時間，因此，華邦電已提前啟動Module B計畫。 依目前規畫，Module B預計2027年動工，最快2029年開始裝機，並依客戶需求預測（Forecast）及LTA分階段導入設備。目前已有客戶提前洽談2029年、2030年產能。 Module B產品規畫涵蓋Standard DRAM、CUBE DRAM、Wafer-on-Wafer（WoW）及矽電容（Si-Cap），並將支援14奈米及未來12奈米DRAM製程，後續亦規畫導入EUV設備，為AI記憶體及先進封裝需求預作準備。 其中，Si-Cap被法人視為華邦電在Logic、Memory之外的第三股潛在成長動能。 華邦電已投入約40億元建置專用Si-Cap產線，現有量產產品電容密度約3,300nF/mm2，最新樣品則達約5,400nF/mm2，主要鎖定AI先進封裝及AI電源管理應用，法人預期最快2027年第一季底步入量產。(新聞來源 : 工商時報一李娟萍／台北報導)