【時報-台北電】華邦電(2344)第二季財報繳出亮眼成績,摩根士丹利(Morgan Stanley)最新研究報告指出,華邦電第二季每股稅後純益(EPS)較其預估高出27%,也較市場共識高出11%,主要受惠DRAM與Flash價格同步調漲,帶動獲利大幅優於預期。
大摩指出,華邦電第二季營收季增56%、年增185%,成長動能主要來自記憶體價格上揚,而非出貨量增加。其中,DRAM平均售價(Blended ASP)單季大幅跳升100%,推升毛利率攀升至66.2%,營業利益率(OPM)達48.4%,雙雙優於市場預期。
展望後市,大摩表示,管理層預估第三季營業利益率可望突破50%,反映目前記憶體市場仍具強勁定價能力,價格上漲趨勢可望延續,有利華邦電獲利續創新高。
除了價格因素外,大摩也看好華邦電持續擴充高雄12吋廠產能。依公司規畫,高雄Module A產能將於2026年底由目前每月1.5萬片提升至2.4萬片;Module B預計2027年1月動工、2029年1月開始裝機,未來整體月產能規模可望達5萬至6萬片,並採分階段擴充。
值得注意的是,新產能除DRAM外,也將布局矽電容(SiCap)產品。大摩認為,隨AI晶片先進封裝快速發展,SiCap需求相當強勁,未來可望受惠CoPoS及英特爾EMIB等先進封裝平台擴大採用,成為華邦電新的成長動能。(新聞來源:工商即時 李娟萍)
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