《科技》NEO發表AI記憶體技術X-SRAM 施振榮看好創新動能

【時報記者張佳琪台北報導】矽谷華人許富菖創立的AI記憶體公司NEO Semiconductor，6日於全球記憶體與儲存產業年度盛會FMS 2026發表新一代AI晶片內建記憶體技術X-SRAM，並同步推出NEO.AI平台。宏碁集團創辦人暨台積電前董事施振榮表示，看好NEO Semiconductor持續推動AI記憶體創新，並期待這些突破為台灣及全球半導體產業帶來更多可能。 NEO Semiconductor兩項核心技術於FMS 2026 Best of Show Awards中雙雙入圍決賽。其中，X-SRAM入圍「Next-Gen Memory Award」，3D X-DRAM入圍「3D & NAND Innovation Award」。兩項技術同時獲得國際專家評審肯定，不僅彰顯 NEO Semiconductor在AI記憶體創新的領先地位，也進一步提升公司於全球半導體產業的能見度。 Future Memory and Storage（FMS）是全球記憶體與儲存產業最具影響力的年度國際盛會，匯聚半導體、AI、雲端運算、資料中心等領域的國際企業與產業領袖。今年NEO Semiconductor受邀發表主題演講，由創辦人暨執行長許富菖（Andy Hsu）正式介紹X-SRAM與NEO.AI平台，展現公司於新世代AI記憶體技術的重要突破。 隨著生成式AI與大型語言模型快速發展，AI晶片對記憶體容量的需求持續攀升。傳統SRAM於先進製程已逐漸接近微縮極限，使晶片內建快取容量成長受限，導致HBM存取增加、功耗與成本同步提升，形成日益嚴重的AI Memory Wall。 NEO Semiconductor表示，X-SRAM採用全新記憶體架構，在完全相容先進Nanosheet CMOS製程下，可提供最高5倍於傳統SRAM的記憶體密度，使AI晶片內建記憶體容量可望由目前約200至400MB提升至1至2GB，並預估降低HBM存取功耗約50%至80%。此外，X-SRAM亦具備未來發展3D SRAM的潛力，可望將記憶體密度進一步提升20倍以上。 許富菖亦於主題演講中分享3D X-DRAM最新進展。該技術採用創新的3D NAND-like架構，突破傳統DRAM微縮限制，已與國立陽明交通大學產學創新研究學院（IAIS）及國家實驗研究院台灣半導體研究中心（TSRI）完成概念驗證（POC）測試晶片開發，目前持續朝商業化邁進。 施振榮對此表示，AI正快速改變全球產業，記憶體將是支撐下一階段AI發展的重要關鍵，很高興看到NEO Semiconductor持續推出X-SRAM與NEO.AI等創新技術，為突破AI記憶體瓶頸提供新的方向。他並且期待這些創新能為台灣及全球半導體產業帶來更多可能。