【時報記者葉時安台北報導】記憶體封測廠力成(6239)、南茂(8150)公布去年11月獲利表現，單月獲利分別為7.86億元、2.55億元，顯著成長16.27%、240.0%，南茂單月每股盈餘0.37元，更超過去年前三季水準。力成、南茂周一盤中股價雙雙衝上歷史新高價，近五天漲幅均達19%以上。力成獲本土法人將目標價升至326元，不過三大法人操作偏空，外資連續兩天賣超，內資投信、自營商持續高檔賣超。 力成係因公司有價證券於集中交易市場達公布注意交易資訊標準，故公布相關財務業務等重大訊息，以利投資人區別瞭解。力成去年11月營收71.40億元，年增25.07%；稅前淨利9.76億元，年增19.46%；歸屬母公司業主淨利7.86億元，年增16.27%；單月每股盈餘0.83元，年增15.28%。力成將在下周二(1月27日)召開法說會，並公布去年第四季財報，法人預估，受惠上游客戶產出增加，力成去年第四季營收、獲利走揚，單季EPS可望改寫兩年新高。 南茂係因公司有價證券於集中交易市場達公布注意交易資訊標準，故公布相關財務業務等重大訊息，以利投資人區別瞭解。南茂去年11月營收21.40億元，年增16.6%；稅前淨利3.04億元，年增245.5%；歸屬母公司業主淨利2.55億元，年增240.0%；單月每股盈餘0.37元，年增270.0%，並高於去年前三季的每股虧損0.01元。 先進封測製程技術有助於AI相關新產品的推陳出新，科技產業發展有益於經濟持續回溫。力成各項產品需求穩健。DRAM方面，AI帶動記憶體相關應用與新機上市，訂單正面，除AI需求持續強勁之外，非AI伺服器也逐步進入更新升級階段，有助於推升DRAM後續需求。NAND Flash和SSD方面，NAND Flash封測訂單在新一代手機換機潮與資料中心SSD需求增長帶動下，持續走升。 展望力成2026年，近期DRAM受惠各記憶體原廠HBM擴產的外溢效應。在上游記憶體需求吃緊下，力成的記憶體封測報價有望上漲，產能利用率增加，將使毛利率走揚；加上FOPLP和ASIC等先進封測營收貢獻逐步上揚，預期明年第一季力成訂單動能不減，將呈現淡季不淡，今年EPS可望高達一個股本，並挑戰歷史新高紀錄。 力成原預估2025年資本支出150億元，年增25%。由於2.5D/3D IC與FOPLP等技術均穩步推進，因此決定上調資本支出至190億元。而2026年力成資本支出將會非常顯著增加，預估可能達到400億元新台幣，主要投資項目FOPLP投資規模約10億美元，為資本支出中最大宗，主要用於為特定美國大客戶建置全新FOPLP產線。搶占AI與HPC商機，力成2026年將全心投入FOPLP產品認證、小量生產及產能擴充，有望在2027年後有明顯的營收貢獻。 南茂同樣受惠近期NOR與DRAM等記憶體產品需求急遽升溫，導致一線封測廠接單爆量取得外溢訂單，並傳出調升報價1至2成。而南茂目前僅能滿足既有客戶訂單約八成，顯示短期產能供不應求。