【時報記者葉時安台北報導】記憶體相關廠商去年下半年營收、獲利驚豔，展望今年，市場擔憂記憶體降級、設備出貨疲軟、非AI領域拉貨低於預期、價格過高擔憂等，恐怕使得今年下半年動能趨緩。不過業界提到，2026年全年產能幾乎已被預訂完畢，價格得以穩健表現，今年下半年價格也不易大幅下滑，留意製造廠下半年擴廠進度，推升2027年營運表現。而記憶體封測受惠漲價、產能滿載可期，同樣推升後續營運表現。 回顧去年記憶體價格飆漲，首先12月合約價漲幅呈現利基型大於標準型，DDR3最強、DDR4居次、DDR5居後；利基型DDR4上漲21~36%、標準型DDR4上漲15~16%；2D NAND部分為SLC上漲3~4%、MLC上漲11~14%。其次，DRAM合約價去年第四季平均季比上揚約45~50%，DDR3漲幅甚至高達55-60%。 輝達NVIDIA於CES 2026正式發表的Rubin平台，對DRAM的需求呈現爆發性成長，特別是HBM4與LPDDR5x，而NVIDIA策略調整，HBM4量產時程估延至今年第一季末。SK Hynix在CES展示最新16層48GB HBM4產品，市場預估，今年全球HBM位元需求成長77%，且HBM將占據全球DRAM總產值的30%以上。 集邦科技公布今年上半年的DRAM價格走勢預估值。市調預料DRAM首季可望季比再漲55~60%，第二季漲幅則預料將縮減至13-18%，DRAM價格呈現輪動格局。而記憶體價格外溢NAND Flash報價，推升SLC NAND與NOR Flash價格走強。綜上，利基型DRAM今年第一季售價可望季比將上揚45-50%，SLC NAND與NOR Flash價格季比上揚15-25%。 半導體上半年淡季不淡、卻下半年旺季不旺？市場評估，2026年整體DRAM市場仍呈現供不應求，全年來看供應不足率約10%。業界表示，2026年記憶體產能預訂狀況仍呈現空前緊張態勢，全年產能幾乎已被預訂完畢，也陸續傳出客戶商談長約，雲端服務供應商提前討論2027年供貨產能，美系與中國大型雲端服務供應商正進行捆綁談判，將2026年採購量、價格與後續採購目標一併協商。產能緊張，擴增產能效益可能須等到今年第四季顯見，記憶體供應商議價能力大幅提升，預期2026年價格持續調漲，目前評估今年下半年價格也不易大幅下滑。 威剛董事長陳立白證實，各大雲端服務供應商均希望簽訂超過一年的合約，但僅1至2家大型業者可能取得較長期合約，其他業者最多獲得一年期合約，非雲端服務供應商買家基本無法簽訂長約。部分雲端服務供應商可能提出預先付款或資助設備採購等優渥條件，以鎖定2027至2028年產能。 DRAM供給吃緊，供應緊俏狀況預計將持續到2027年，推升報價可望持續上揚，導致消費級產品如手機、PC等面臨嚴重的記憶體缺貨與成本上揚壓力，記憶體晶圓廠將是受惠最大。晶圓廠可調配產能至毛利率較好的產品，生產成本和擴充產能折舊控制得宜，推升毛利率將會隨報價上揚。 製造廠商上，DRAM市場供需出現結構性改變，南亞科為DDR4末代戰將，DDR4占比大；而華邦電先前難以切入的客戶開始主動洽談長期合作，除了DDR4外，Flash需求亦同步回溫。至於記憶體模組廠則開始面臨拿不到顆粒，成本也開始逐步往上，毛利率大幅再向上有限。 隨著記憶體需求不斷上行，封裝測試市場也搭上暢旺列車，但市場同樣擔憂原廠產能吃緊，獲利單靠漲價題材推升，不足相對動能拉動相關封測廠，但如今封測廠亦啟動漲價，推升毛利表現，注入新一波動能。其中力成受惠DRAM和NAND終端市場近期需求佳，DRAM和NAND Flash追單大增，且今年記憶體封測報價有望提升，加上FOPLP和ASIC等先進封測營收貢獻增加，也有助力成營運。 分別受惠南亞科、華邦電訂單的封測廠華東、福懋科跟隨訂單全面爆發，產能相對滿載，後續營運可期。而漲價題材，南茂、華泰也傳出漲價機制，同樣因供不應求的情形擴散至封測產業，且調漲雙位數，有望推動未來營運成長。 華東受到量價齊揚，主要客戶委託NAND快閃記憶體占大宗，DDR4及DDR5封測代工訂單亦增加，加上AI伺服器代工同步走揚，拉抬產能利用率維持高檔水位。 福懋科已積極進行封裝瓶頸設備產能擴充、測試關鍵設備產能擴充及模組SMT產線，以支持客戶代工需求的大幅提升。而2026年DRAM市場維持供不應求，福懋科晶圓五廠已建設完畢，預計今年第二季進機，下半年開始加入營運；公司開發晶圓凸塊與RDL製程技術，配合TSV製程，開發多層堆疊製程技術，2026年預計導入四層晶片堆疊，應用於高容量DDR5 R-DIMM模組產品。