【時報-台北電】晶圓代工龍頭台積電先進製程維持高產能利用率，其中3奈米製程持續供不應求。晶片業者透露，台積電今年除調高3奈米報價外，已暫時停止3奈米新案Kick-off（啟動）。半導體業者分析，主因在於訂單滿載、現有產能已難以負荷，短期內擴產速度亦難以追上客戶需求湧入。 業界進一步指出，台積電此舉亦帶有策略性考量，藉此引導客戶將新產品規畫提前轉向2奈米先進製程。由於2奈米具備更佳成本結構，在原子層沉積（ALD）等關鍵技術助攻下，極紫外光（EUV）曝光層數並未顯著增加，製程價值開始轉移至材料端，帶動中砂、昇陽半、宇川精材等供應鏈角色浮現。 台積電3奈米家族涵蓋多種版本，但目前產能已被AI GPU、雲端資料中心ASIC及高階行動處理器客戶全面塞滿。 由於短期擴產速度難以追上訂單湧入，台積電選擇暫緩3奈米新專案開發；晶片業者進一步指出，台積電正鼓勵仍處於產品規畫初期的客戶，直接評估導入2奈米製程，以利後續量產與成本配置。 台積電2奈米製程進入量產，由蘋果、高通、聯發科等行動手機晶片為主要客戶。晶片業者透露，實際上2奈米價格並未如外界所想每片超過3萬美元，但相較N3P價格確實屬於「有感」調升；不過，透過大小晶片配置與龐大出貨規模攤提成本，相較記憶體晶片，處理器SoC並非推升智慧型手機BOM（物料清單）表成本飆漲的主因。 業界分析，2奈米是台積電先進製程的重要轉捩點，不僅首度導入奈米片（Nanosheet）電晶體架構，在效能、功耗與密度表現上具明顯優勢，也在製程設計上展現更佳的成本結構。相較3奈米，2奈米導入原子層沉積（ALD）等高階製程後，EUV曝光層數並未出現大幅增加，使單位晶片的整體製造成本更具競爭力，成為台積電積極推動客戶轉進的重要籌碼。 半導體業者透露，GAAFET製程將晶圓製造由平面雕刻升級為立體建構，製程難度呈倍數提升，至少須克服矽／鍺交替疊層外延成長、高深寬比蝕刻，以及原子級ALD閘極包覆等關鍵難關；其中，ALD需在懸空結構四周形成均勻、無缺陷的高介電層與金屬閘極，對沉積一致性提出近乎極限的要求。(新聞來源 : 工商時報一張珈睿／拉斯維加斯報導)