【時報記者王逸芯台北報導】愛普*(6531)宣布，旗下S-SiCap（Stack Silicon Capacitor）產品線持續深化技術布局，聚焦AI伺服器與高效能運算（HPC）在系統整合上的關鍵挑戰。S-SiCap產品線涵蓋分離式矽電容（Discrete Devices）與矽電容中介層IPC（Interposer with Silicon Capacitor）兩大類型，可依不同系統架構與應用情境靈活導入，滿足多元設計需求。 在分離式矽電容方面，愛普*S-SiCap Gen4的電容值密度較前一代Gen3再成長逾五成。因應AI與高效能運算對效能與功率密度持續提升的趨勢，Gen4亦率先導入嵌入式基板（Embedded Substrate）封裝，目前已完成送樣並進行製程驗證，預計自2026年起逐步導入量產。 另一方面，矽電容中介層S-SiCap Interposer採用矽晶圓作為中介層基板，內建高電容密度矽電容，可有效強化裸晶對裸晶（Die-to-Die）、序列器／解序列器（SerDes）及高頻寬記憶體（HBM）等高速I/O應用的訊號完整性與電源穩定度。愛普亦攜手供應鏈夥伴導入接合曝光技術（reticle-stitching technology），擴大中介層裸晶面積，以承載更多Chiplet IC，回應先進封裝對更高整合度的需求。目前S-SiCap Interposer已完成客戶端封裝與可靠度驗證，並於第三季底正式進入四個reticle的量產階段，相關新專案亦陸續展開。 愛普*總經理洪志勳表示，隨著AI與高效能運算應用快速成長，市場對電源完整性與高速訊號傳輸的要求日益嚴苛。愛普*透過S-SiCap產品線，將矽電容以分離式與中介層兩種形式整合至各類先進封裝架構，兼顧高效能、高整合度與設計彈性，以滿足新世代AI與HPC系統的嚴苛需求。展望未來，愛普亦正積極開發可應用於有機中介層（Organic Interposer）的矽電容產品，持續拓展整體產品版圖。