【時報記者葉時安台北報導】福懋科(8131)受惠記憶體產銷量提高，封測代工需求增加，福懋科今年11月營收10.03億元，年增46.62%、月增11.98%，創下近13年半以來單月新高，並看好後續客戶需求持續增加，後續資本支出水漲船高，明年下半年新建五廠也將加入量產。展望後續，福懋科明年第一季預估將平穩成長，但其他變數不大，營運成長可期，且目前銷售量、平均單價齊揚，新產品R-DIMM的量產，對整體毛利率看法正向。 福懋科今年11月營收10.03億元，年增46.62%、月增11.98%，創下近13年半以來單月新高；前11月營收88.66億元，年增8.45%。營收增加主要因為銷售量及平均代工單價增加，看好後續客戶需求持續增加，目前四座廠主要生產DDR4多晶片產品與DDR3產品，為目前營收主力。 福懋科今年第三季庫存增加，包括原料、物料，因客戶對公司的投料預估量不斷上升，原料市場也一時維持緊俏，為避免斷料，增加備料工作，因應第三季與第四季的需求。 福懋科資本支出今年截至目前為止是5.66億元，後續資本支出提高，因應投料量與產銷量增加，第四季開始第五廠的營建工程亦入帳，推升整體工廠產量。 福懋科進一步說明，公司既有四座工廠提升效率，利用率已達90%以上，一廠、二廠、3A、3B必須放進更多封裝測試與模組裝置，以因應客戶需求，這部分均已納入明年資本支出預算。而新建的五廠，擴廠工程未停止，今年11月取得五廠使用執照，並預計在明年第二季啟動先進封裝與Bumping、RDL、TSV，五廠將在明年下半年進入量產，稼動率逐步到位，預計明年資本支出將比今年大幅成長，而折舊方面，明年上升幅度相對不會太快，設備會陸續在明年量產在逐次驗收。 福懋科目前研發重點在開發晶圓凸塊與重佈線製程技術，以配谷3D矽穿孔晶圓的正背面凸塊及背面RDL製程，預計2026年第二季新機台移人及試車驗證，提供客戶全流程的代工服務，擴大先進封裝佈局。客戶需要高容量DDR5 R-DIMM模組，從TSV、露銅、覆晶封裝再到模組，工程已完成驗證。目前成功量產的是兩層堆疊，明年下半年會做到四層晶片堆疊TSV BVR，佈局DDR5 R-DIMM模組。 福懋科市況說明，AI及一般雲端伺服器需求增加，帶動HBM與DDR5等高階記憶體需求成長，記憶體市場景氣回升，DRAM大廠優先分配產能於HBM與DDR5，降低DDR4生產，市場供應不足，導致DDR4價格大幅上揚。台廠普遍提高DDR4/LPDDR4產銷量，並積極增加產出、擴充產能，封測代工需求增加。 福懋科今年前三季獲利穩定，今年應會採取穩定鼓勵政策發放現金股利。展望後續，受到記憶體景氣回升，客戶代工需求急速上升，雖然第一季受到農曆年因素，明年第一季預估將平穩成長，但其他變數不大，營運成長可期，且目前銷售量、平均單價齊揚，新產品R-DIMM的量產，對整體毛利率看法正向。