【時報-台北電】隨著AI算力需求暴增，資料中心電力架構正迎來十年最大升級，輝達領軍的800V高壓直流（HVDC）技術，預計2027年全面導入兆瓦級AI機櫃，將牽動第三代半導體代工版圖重組。台積電（2330）日前宣布兩年內逐步退出氮化鎵（GaN）市場，其大客戶納微半導體（Navitas）急尋新來源，多方角力下，台系功率元件、電源管理晶片產業鏈將迎新競爭格局。  將外部工業用交流電轉換為800V直流電，可使相同尺寸導線傳輸功率增加85％；相較於傳統架構，輝達800V  HVDC，主要差異在於多一道800V直流電降壓至54V直流電的程序，法人分析，該架構需使用高規的耐高壓PMIC（電源管理IC），但在個別Compute  Tray則沿用原先中低壓PMIC即可。  未來Compute  Tray中的Power  IC需求將提升，如記憶體電壓必須由54伏轉到12伏。儘管目前為海外業者如英飛凌、MPS的天下，但台廠致新（8081）、茂達（6138）持續搶攻，從一般型伺服器入局，有望搶占相關商機。  另外，HVDC架構是輝達與Navitas策略合作，由Navitas提供氮化鎵（GaN）與碳化矽技術，然而近期台積電卻表示將逐步退出GaN業務；相關業者透露，由於GaN仍有安全性的疑慮，是否應用於資料中心仍是未知數。  外界推測，由於晶圓代工業者是在矽基襯底上利用GaN外延製程（GaN  on  Si）製造，然而兩種材料在晶體結構及熱膨脹係數皆不太匹配、遇高壓易被擊穿。而之所以不直接使用GaN襯底，是因目前主流僅發展到6吋、然成本特別高，另一方面是7成的原材料如鋁土礦或閃鋅礦產能掌握在中國大陸業者手中。  半導體業界指出，台積電持續進行產能最佳化，今年以來將老廠人力調往先進封裝支援，因此在部分成熟、特殊製程節點會進行取捨，使其他晶圓代工業者如力積電（6770）有機可乘。  同理，海外PMIC大廠也會根據客戶需求，調整自身產品組合，使台系供應鏈有機會打入Tier  1客戶；儘管短期未見明顯業績挹注，但只要依循正確產業方向投入研發，終將有機會大放異彩。(新聞來源  :  工商時報一張珈睿／台北報導)